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Nastro di Packaing a semiconduttore
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Nastro d'imballaggio a semiconduttore, nastro d'imballaggio del chip, film ad alta temperatura del nastro 0.035mm

Nastro d'imballaggio a semiconduttore, nastro d'imballaggio del chip, film ad alta temperatura del nastro 0.035mm

Marchio: KHJ
Numero di modello: E1-IH810B
MOQ: 1pcs
prezzo: Negoziabile
Termini di pagamento: L/C, T/T
Capacità di approvvigionamento: 10000 metri quadri/giorno
Informazione dettagliata
Luogo di origine:
Guangdong, Cina
Certificazione:
RoHS
Nome di prodotto:
E1-IH810B
Appoggio dello spessore:
0.025mm
Conducibilità termica (w/mk):
0.2±0.05
Adesione ad acciaio:
4~5N/25mm
Allungamento a rottura:
≥45%
Temperatura Upmost:
260℃
Applicazione:
Imballaggio a semiconduttore
Imballaggi particolari:
Sacchetto + cartone di plastica
Capacità di alimentazione:
10000 metri quadri/giorno
Descrizione di prodotto

Nastro d'imballaggio a semiconduttore, nastro d'imballaggio del chip, film ad alta temperatura del nastro 0.035mm 0Nastro d'imballaggio a semiconduttore, nastro d'imballaggio del chip, film ad alta temperatura del nastro 0.035mm 1Nastro d'imballaggio a semiconduttore, nastro d'imballaggio del chip, film ad alta temperatura del nastro 0.035mm 2

ODM dell'OEM ad alta temperatura del nastro 0.035mm del Kapton del Polyimide statico basso

Nastro adesivo termoresistente del polyimide del polyimide resistente ad alta temperatura statico basso del nastro E1-IH810B con buona resistenza termica

IH810B è un film del polyimide indietro ha ricoperto l'adesivo del silicone di basso adesione che ha la prestazione antistatica eccellente e resistenza ad alta temperatura.

Caratteristiche e benefici termoresistenti del nastro E1-IH810B del Kapton:

1. La scarica elettrostatica bassa a si svolge e rimozione.

2. Prestazione antistatica eccellente e resistenza ad alta temperatura.

3. Alta adesione iniziale, buona sigillando prestazione.

4. RoHS compiacente.

Proprietà:

Nastro ad alta temperatura del Kapton dell'oggetto Valore della prova Metodo di prova
Appoggiando spessore (millimetri) 0.025±0.003 Micrometro
Spessore totale (millimetri) 0.035±0.005 Micrometro
Spessore della fodera di rilascio (millimetri) 0.075±0.003 Micrometro
Diametro del centro (millimetri) 77±2 calibri
Adesione (N/25mm) 4-5 GBT 2792-2014
Resistenza alla trazione (KN/M) ≥3.5 GBT 30776-2014
Allungamento (%) ≥45
Temperatura usando Upmost (℃) 260℃

Costruzione:

Nastro d'imballaggio a semiconduttore, nastro d'imballaggio del chip, film ad alta temperatura del nastro 0.035mm 3

Applicazione:

Semiconduttore che imballa, imballaggio del chip. Utilizzato per protezione ad alta temperatura dei processi d'imballaggio differenti e la fissazione temporanea nei processi ad alta temperatura. Come trasportatore, sostiene e protegge gli oggetti ultrasottili durante il processo di trasferimento. È inoltre adatto a protezione di superficie che deve essere rimossa dopo temperatura elevata e nessun residuo.

Stoccaggio:

1. Deposito in condizioni normali di 10-30℃and 40-70% R.H, da luce solare diretta.

2. Durata di prodotto in magazzino: 12 mesi a partire dalla data di fabbricazione una volta immagazzinato in imballaggio iniziale.

Ricordo di precauzione:

1. Il prodotto dovrebbe provenire lontano dalle fonti del fuoco e del calore;

2. La superficie dovrebbe essere pulita, asciutto, esente da polvere, da petrolio o da altri contaminanti.

3. Pressione adeguata richiesta dal rullo, dalla mano o dalla stampa quando si applicano.

4. Eviti la ripetizione che attacca per impedire la diminuzione di adesione.

5. Il prodotto non può essere usato all'aperto, per evitare l'influenza di tempo all'aperto, là sarà residuo sull'oggetto quando il nastro è rimosso.

Vantaggi competitivi della nostra fabbrica:

1. Controllo stesso di alta qualità e di prezzo competitivo.

2. Consegna tempestiva.

3. Prodotti rispettosi dell'ambiente.

Note:

I dati di cui sopra sono misurati dalle norme del laboratorio. I dati reali possono essere differente dovuto gli stati ed i metodi dell'uso dell'utente. È raccomandato per provare il prodotto prima dell'uso.